| 标题 |
 Mechanism for Formation of Craters on the Surface of Silicon during Anisotropic Etching in a Solution of Potassium Hydroxide 相关领域
氢氧化钾
蚀刻（微加工）
撞击坑
机制（生物学）
硅
材料科学
各向异性
曲面（拓扑）
氢氧化物
钾
化学工程
化学
矿物学
天体生物学
无机化学
纳米技术
冶金
光学
几何学
物理
工程类
量子力学
图层（电子）
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 作者：S. I. Torgashin; V.E. Pautkin 出版日期：2018-06-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
eric888
浮游
莫名是个小疯子
GingerF
唐泽雪穗
淡然的妙芙
科研cc
Criminology34
GPTea
清爽老九
MchemG
ceeray23
竹筏过海
Li
VDC
遇上就这样吧
情怀
爆米花
是多少
yann
归尘
清心路人
核桃
临风怳兮浩歌
learningu
靤君
null
风清扬
皖公网安备34019202002308
