| 标题 |
Enhancement Mode N-polar Deep Recess GaN HEMT with Record Small Signal Performance 具有创纪录小信号性能的增强型N极深凹GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
极地的
信号(编程语言)
模式(计算机接口)
氮化镓
电气工程
电子工程
计算机科学
电压
物理
工程类
晶体管
纳米技术
图层(电子)
操作系统
程序设计语言
天文
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Oğuz Odabaşı; Md Irfan Khan; Xin Zhai; H. Rana; Elaheh Ahmadi 出版日期:2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)