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 Performance Boost of Si TFETs by Insertion of III–V Dipole Formation Layer: A First Principle Study 插入III-V偶极子形成层提高Si TFET性能的第一性原理研究
相关领域
量子隧道
偶极子
光电子学
硅
晶体管
材料科学
凝聚态物理
带隙
电子
密度泛函理论
工作职能
物理
图层（电子）
纳米技术
电压
量子力学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yeongjun Lim; Junbeom Seo; Mincheol Shin 出版日期：2023-05-11 |
| 求助人 |
微笑的安容
在
2025-08-29 15:15:35 发布，悬赏 10 积分
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