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 Back-gate effects on DC performance and carrier transport in 22 nm FDSOI technology down to cryogenic temperatures 22 nm FDSOI技术中背栅对低温下直流性能和载流子输运的影响
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Hung-Chi Han; Farzan Jazaeri; Antonio D’Amico; Zhixing Zhao; Steffen Lehmann; et al 出版日期：2022-03-28 |
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