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 Investigations on an Isolated Lateral High-Voltage n-channel LDMOS Transistor with a Typical Breakdown of 150V 典型击穿为150V的n沟道隔离型高压LDMOS晶体管的研究
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期刊：2006 European Solid-State Device Research Conference 作者：Martin Knaipp; Jong Mun Park; Verena Vescoli; Georg Roehrer; Rainer Minixhofer 出版日期：2007-03-01 |
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