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 Effect of Al inclusion in HfO2 on the physical and electrical properties of the dielectrics HfO2中Al对电介质物理和电学性能的影响
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期刊：IEEE electron device letters 作者：Wenjuan Zhu; T. Tamagawa; M. Gibson; Toshio Furukawa; T.P. Ma 出版日期：2002-11-01 |
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