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Compact Modeling of IGZO-based CAA-FETs with Time-zero-instability and BTI Impact on Device and Capacitor-less DRAM Retention Reliability
基于IGZO的CAA-FETs的紧凑建模,具有时间零点不稳定性和BTI对器件和无电容DRAM保持可靠性的影响
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期刊:2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:Jingrui Guo; Ying Sun; Lingfei Wang; Xinlv Duan; Kailiang Huang; et al 出版日期:2022-06-12 |
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