HTRB failure mechanism of 1200 V SiC MOSFET induced by abnormal electric field distribution in FLR termination

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标题	HTRB failure mechanism of 1200 V SiC MOSFET induced by abnormal electric field distribution in FLR termination
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2026.116279
DOI	10.1016/j.microrel.2026.116279 doi
求助人	嗷嗷在 2026-09-15 19:22:03 发布自广东，悬赏 10 积分
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