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Influence of the carrier behaviors in p-GaN gate on the threshold voltage instability in the normally off high electron mobility transistor
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网址
https://doi.org/10.1063/5.0055530
DOI
10.1063/5.0055530 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Xin Chen; Yaozong Zhong; Yu Zhou; S. S. Su; Shumeng Yan; et al
出版日期：2021-08-09
求助人
zq 在 2026-08-24 09:34:31 发布自广东，悬赏 10 积分
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