Efficacy of π -gate in LDMOS for improved safe operating area and figure of merits

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标题	Efficacy of π -gate in LDMOS for improved safe operating area and figure of merits
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ae6366
DOI	10.1088/1361-6641/ae6366 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Md Sheeraz Hussain; Ankit Sirohi; Avinash Lahgere; Yogesh Singh Chauhan; Md Waseem Akram 出版日期：2026-05-01
求助人	YCY15880432100 在 2026-09-02 11:41:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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