Electrothermal enhancement of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructure field-effect transistors via back-end-of-line sputter-deposited AlN layer

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标题	Electrothermal enhancement of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructure field-effect transistors via back-end-of-line sputter-deposited AlN layer
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/5.02258...
DOI	10.1063/5.0225896 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：James Spencer Lundh; Cory Cress; Alan G. Jacobs; Zhe Cheng; Hannah N. Masten; et al 出版日期：2024-12-12
求助人	IF 在 2026-08-26 10:57:19 发布自美国，悬赏 10 积分
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