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Permanent Strain Engineering of Molybdenum Disulfide Using Laser-Driven Stressors for Energy-Efficient Resistive Switching Memory Devices
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网址
https://doi.org/10.3390/nano14231872
DOI
10.3390/nano14231872 doi
其它 期刊：Nanomaterials
作者：Heesung Jang; Seok‐Ki Hyeong; Byeongjin Park; Tae‐Wook Kim; Sukang Bae; et al
出版日期：2024-11-22
求助人
researcher 在 2026-01-08 22:41:11 发布自河北，悬赏 10 积分
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