| 标题 |
 Unraveling In‐Plane Crystallographic Anisotropy‐Dependent Memory Performance In Van Der Waals α‐In 2 Se 3 Ferroelectric Semiconductor Field‐Effect Transistors |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Jong Hyun Kim; Seung-Hwan Kim; Hyeong‐Kyu Jin; Deji Akinwande; Hyun Yong Yu 出版日期：2025-11-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
DW
极限001
意肆
lx
aaaa
aaa
aajhajkahna
maxiaole
KWang
CR7
invisight
xing_xing
碧海蓝天
乐空思
fantasy22
Mic
优雅的从安
初景
v0id
皖公网安备34019202002308
