| 标题 |
  Growth of β-Ga2O3 and ϵ/κ-Ga2O3 on AlN(0001) by molecular-beam epitaxy 分子束外延在AlN（0001）上生长β-Ga2O3和ϵ/κ-Ga2O3
相关领域
分子束外延
材料科学
外延
亚氧化物
氧化物
相（物质）
结晶学
薄膜
光电子学
纳米技术
图层（电子）
冶金
化学
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：APL Materials 作者：Sushma Raghuvansy; Jonathan P. McCandless; Marco Schowalter; Alexander Karg; Manuel Alonso‐Orts; et al 出版日期：2023-11-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
xxfsx
小青椒
无极微光
小杭76
avalanche
pluto
寻道图强
Criminology34
归尘
Mic
yznfly
邓佳鑫Alan
陈末
Zx_1993
WB87
左耳钉
殷勤的紫槐
辛勤者
凤凰
GingerF
iNk
sevenhill
TYMY
皖公网安备34019202002308
