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Effect of doping on Al2O3/GaN MOS capacitance 掺杂对Al2O3/GaN MOS电容的影响
相关领域
兴奋剂
材料科学
电容
光电子学
物理
电极
量子力学
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期刊:Solid-State Electronics 作者:B. Rrustemi; C. Piotrowicz; M.-A. Jaud; François Triozon; W. Vandendaele; et al 出版日期:2022-04-25 |
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