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标题
Dual voltage-dependent mechanisms of single-event leakage current in SiC trench MOSFETs: Heavy-Ion irradiation and TCAD simulation study
SiC沟槽MOSFET中单事件泄漏电流的双重电压相关机制：重离子辐照和TCAD模拟研究
网址
https://doi.org/10.1016/j.net.2025.103979
DOI
10.1016/j.net.2025.103979 doi
其它 期刊：Nuclear Engineering and Technology
作者：Dexin Chen; Ying Wang; Wanzhao Cui; Yanxing Song; Fei Cao
出版日期：2025-10-15
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李沐唅 在 2025-12-11 22:36:48 发布自贵州，悬赏 10 积分
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