| 标题 |
 200 V Enhancement-Mode p-GaN HEMTs Fabricated on 200 mm GaN-on-SOI With Trench Isolation for Monolithic Integration 相关领域
绝缘体上的硅
光电子学
材料科学
薄脆饼
沟槽
制作
高电子迁移率晶体管
氮化镓
晶体管
蚀刻（微加工）
外延
硅
图层（电子）
电气工程
纳米技术
电压
工程类
病理
医学
替代医学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
Criminology34
Kao
OK
小小牛马
有人
cdercder
张欢馨
GingerF
Essence
乐空思
炜大的我
东方元语
ming2026
lucky
sanvva
luang
一介书生
赵赶超
dde
皖公网安备34019202002308
