Ultralow contact resistance of 0.058 Ω mm achieved by pulsed sputtering deposition of regrown degenerately doped GaN contacts for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

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标题	Ultralow contact resistance of 0.058 Ω mm achieved by pulsed sputtering deposition of regrown degenerately doped GaN contacts for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
网址	https://doi.org/10.1063/5.0311448
DOI	10.1063/5.0311448 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Kohei Ueno; Kaito Fujisawa; Hiroshi Fujioka 出版日期：2026
求助人	Sue kong 在 2026-02-24 16:59:35 发布自江苏，悬赏 10 积分
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