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 Performance Analysis of Double Material Gate (DG) -TFET with Channel Doping 沟道掺杂双材料栅（DG）-TFET的性能分析
相关领域
材料科学
隧道场效应晶体管
跨导
光电子学
兴奋剂
工作职能
量子隧道
半导体
可控性
电流（流体）
晶体管
场效应晶体管
栅氧化层
硅
纳米技术
电气工程
电压
图层（电子）
工程类
数学
应用数学
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期刊：Silicon 作者：Vatsavaya S. Raju; Eringathodi Suresh; Boorla Shashikanth; B. Jagadeesh; Azmeera Srinivas; et al 出版日期：2022-03-19 |
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