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Influence of Low Temperature on the Electrophysical and Noise Characteristics of UV LEDs Based on InGaN/GaN Quantum Well Structures 低温对InGaN/GaN量子阱结构紫外LED电物理和噪声特性的影响
相关领域
发光二极管
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期刊:Semiconductors 作者:A. M. Ivanov; А. В. Клочков 出版日期:2023-08-01 |
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