| 标题 |
 Linearity analysis of III-Nitride/β-Ga2O3 Nano-HEMT for emerging RF/Microwave applications 用于新兴射频/微波应用的III-氮化物/β-Ga2O3纳米HEMT的线性分析
相关领域
高电子迁移率晶体管
微波食品加热
线性
光电子学
材料科学
无线电频率
氮化物
纳米-
氮化镓
纳米技术
电子工程
电气工程
计算机科学
工程类
电信
晶体管
复合材料
电压
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microsystem Technologies 作者：G. Purnachandra Rao; Trupti Ranjan Lenka; Hieu Pham Trung Nguyen 出版日期：2024-08-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
彭于彦祖
无极微光
小杭76
zcl
Tourist
Criminology34
ccm
邓佳鑫Alan
Zx_1993
eric888
昏睡的蟠桃
TYMY
demonsnow
GingerF
陈末
菠菜
凤凰
bmhs2017
小青椒
tuanheqi
avalanche
kentonchow
Maestro_S
皖公网安备34019202002308
