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标题
Comparative Analysis of AlN/β-Ga2O3 and MgZnO/CdZnO Gate All Around Field Effect Transistors (GAA-FETs) for Analog/RF Applications
用于模拟/射频应用的AlN/β-Ga2O3和MgZnO/CdZnO栅极全包围场效应晶体管(GaA-FET)的比较分析
相关领域
光电子学 场效应晶体管 材料科学 晶体管 电气工程 工程类 电压
网址
DOI
10.1142/s0218126625501257 doi
其它 期刊:Journal of Circuits Systems and Computers
作者:Yogesh Kumar Verma; Varun Mishra; Manoj Singh Adhikari; Suman Lata Tripathi; Santosh Kumar Gupta
出版日期:2024-10-18
求助人
Miao 在 2025-12-06 07:51:55 发布自甘肃,悬赏 30 积分
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