Improved Reliability of Short-Channel IGZO TFTs with Hydrogen Scavenger Gate Metal

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标题	Improved Reliability of Short-Channel IGZO TFTs with Hydrogen Scavenger Gate Metal 采用氢清除剂栅极金属提高短沟道IGZO薄膜晶体管的可靠性
网址	https://doi.org/10.1109/LED.2025.3645743
DOI	10.1109/LED.2025.3645743 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zihan Li; Menggan Liu; Guanhua Yang; Fuxi Liao; Kaifei Chen; et al 出版日期：2025
求助人	youyuguang 在 2025-12-19 14:45:49 发布自四川，悬赏 10 积分
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