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Influence of the Doping Gas on the Axial Uniformity of the Growth Rate and the Electrical Properties of LPCVD In-Situ Doped Polysilicon Layers |
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期刊:Journal de physique 作者:D. Briand; M. Sarret; P. Duverneuil; T. Mohammed-Brahim; K. Kis-Sion 出版日期:1995-06-01 |
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