Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN‐on‐Si High Electron Mobility Transistors with p‐type NiO Based Gate Stack

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标题	Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN‐on‐Si High Electron Mobility Transistors with p‐type NiO Based Gate Stack
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssa.2025001...
DOI	10.1002/pssa.202500119 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Andrzej Taube; Wojciech Hendzelek; Aneta Gołębiowska; Oskar Sadowski; Jarosław Tarenko; et al 出版日期：2025-04-30
求助人	Chen_Sam 在 2026-04-25 20:59:56 发布自福建，悬赏 10 积分
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