| 标题 |
 Iron-induced low background impurity and high resistivity GaN films grown by MOCVD on patterned sapphire substrates 相关领域
金属有机气相外延
蓝宝石
杂质
电阻率和电导率
材料科学
光电子学
外延
化学
纳米技术
光学
图层（电子）
电气工程
物理
工程类
有机化学
激光器
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Song Fu; Qun Ma; Yang Li; Junjie Kang; Liang Meng; et al 出版日期：2025-03-14 |
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