Formation of High-Quality SiO2/Β-Ga2O3 Mos Structures by Combination of Post-Deposition and Post-Metallization Annealing

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标题	Formation of High-Quality SiO2/Β-Ga2O3 Mos Structures by Combination of Post-Deposition and Post-Metallization Annealing
网址	https://doi.org/10.1149/MA2025-02373522mtgabs
DOI	10.1149/MA2025-02373522mtgabs doi
其它	期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：Kensei Maeda; Takuma Kobayashi; Masahiro Hara; Heiji Watanabe 出版日期：2025
求助人	呆一起在 2026-03-27 15:40:05 发布自陕西，悬赏 10 积分
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