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 Controlling the thin interfacial buffer layer for improving the reliability of the Ta/Ta2O5/Pt resistive switching memory 控制薄界面缓冲层以提高Ta/Ta2O5/Pt电阻开关存储器的可靠性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yichuan Wang; Yu Yan; Chen Wang; Yuting Chen; Junye Li; et al 出版日期：2018-08-13 |
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