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 Partially Oxidized MXene Ti3C2Tx Sheets for Memristor having Synapse and Threshold Resistive Switching Characteristics 具有突触和阈值电阻开关特性的忆阻器用部分氧化MXene Ti3C2Tx片
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期刊：Advanced electronic materials 作者：A.S. Sokolov; Mumtaz Ali; Hui Li; Yu‐Rim Jeon; Min Jae Ko; et al 出版日期：2020-12-28 |
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