Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures

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标题	Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.1398603
DOI	10.1063/1.1398603 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：F. Jiménez-Molinos; A. Palma; F. Gámiz; J. Banqueri; J. A. López-Villanueva 出版日期：2001-10-01
求助人	Sieg 在 2026-08-10 14:09:03 发布自广东，悬赏 10 积分
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