| 标题 |
Experimental study on the 4H-SiC-based VDMOSFETs with lightly doped P-well field-limiting rings termination |
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| DOI |
10.1016/j.sse.2016.11.008
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| 其它 |
期刊:Solid-state Electronics 作者:Yanjing He; Hongliang Lv; Xiaoyan Tang; Qingwen Song; Yi Meng Zhang; et al 出版日期:2017-03-01 |
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