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MAPbBr 3 Halide Perovskite-Based Resistive Random-Access Memories Using Electron Transport Layers for Long Endurance Cycles and Retention Time |
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期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Hyojung Kim; Joo Sung Kim; Jaeho Choi; Young-Hoon Kim; Jun Min Suh; et al 出版日期:2024-01-03 |
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(2025-6-4)