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  In-plane InGaAs/Ga(As)Sb nanowire based tunnel junctions grown by selective area molecular beam epitaxy 选择性区域分子束外延生长InGaAs/Ga（As）Sb纳米线面内隧道结
相关领域
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期刊：Nanotechnology 作者：Alexandre Bucamp; Christophe Coinon; Sylvie Lépilliet; D. Troadec; G. Patriarche; et al 出版日期：2021-12-22 |
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生化幻彩
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