Improvement of the Stability of Quantum-Dot Light Emitting Diodes Using Inorganic HfOx Hole Transport Layer

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标题	Improvement of the Stability of Quantum-Dot Light Emitting Diodes Using Inorganic HfOx Hole Transport Layer 利用无机HfOx空穴传输层提高量子点发光二极管的稳定性相关领域材料科学二极管发光二极管量子点光电子学退火（玻璃）化学工程复合材料工程类
网址	https://doi.org/10.3390/ma17194739
DOI	10.3390/ma17194739 doi
其它	期刊：Materials 作者：Jung Min Yun; Min Ho Park; Yu Bin Kim; Min Jung Choi; Seunghwan Kim; et al 出版日期：2024-09-27
求助人	GuanYZ 在 2025-08-25 16:40:37 发布，悬赏 10 积分
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