Effects of notch structures on DC and RF performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors*

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标题	Effects of notch structures on DC and RF performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors* 缺口结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流和射频性能的影响* 相关领域材料科学跨导光电子学高电子迁移率晶体管击穿电压晶体管无线电频率电压阈值电压电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/abd470
DOI	10.1088/1674-1056/abd470 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Hao Zou; Lin‐An Yang; Xiaohua Ma; Yue Hao 出版日期：2020-12-17
求助人	虚幻的天问在 2025-10-12 02:27:06 发布自山西，悬赏 10 积分
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