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 Temperature dependent current- and capacitance-voltage characteristics of W/n-Si structures with two-dimensional WS2 and three-dimensional WO3 interfaces deposited by RF sputtering technique 射频溅射沉积二维WS2和三维WO3界面W/n-Si结构的温度相关电流和电容电压特性
相关领域
光电子学
电容
分析化学（期刊）
钨
异质结
电压
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| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Ali Baltakesmez; S. Tekmen; Betül Güzeldir 出版日期：2020-11-01 |
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