| 标题 |
Phosphorus doping in molecular beam epitaxial grown silicon and silicon/germanium using a GaP decomposition source 利用间隙分解源在分子束外延生长硅和硅/锗中掺杂磷
相关领域
兴奋剂
硅
分子束外延
镓
锗
溶解度
外延
磷
材料科学
扩散
固体溶解度
分析化学(期刊)
光电子学
化学
纳米技术
物理化学
冶金
图层(电子)
有机化学
物理
热力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:G. Lippert; H. J. Osten; D. Krüger 出版日期:1995-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|