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Extended Methodology to Determine SRAM Write Margin in Resistance-Dominated Technology Node
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3165738
AI链接 kuleuven.bedoi.org
DOI
10.1109/ted.2022.3165738 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Hsiao-Hsuan Liu; Shairfe Muhammad Salahuddin; Dawit Burusie Abdi; Rongmei Chen; Pieter Weckx; et al
出版日期：2022-04-18
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阳光柠檬 在 2026-01-11 22:42:28 发布自上海，悬赏 10 积分
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