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  Effect of test structure on electromigration characteristics in three-dimensional through silicon via stacked devices 测试结构对三维硅通孔堆叠器件电迁移特性的影响
相关领域
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空隙（复合材料）
互连
材料科学
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焊接
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yoshiyuki Oba; Joke De Messemaeker; Anna Maria Tyrovouzi; Yuichi Miyamori; Joeri De Vos; et al 出版日期：2015-04-17 |
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