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标题
Nitride spacer aided 0.15 μm AlGaN/GaN HEMT fabrication with optimized gate patterning process
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制作 高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 宽禁带半导体 氮化物 氮化镓 过程（计算） 纳米技术 晶体管 电气工程 图层（电子） 计算机科学 电压 工程类 操作系统 病理 医学 替代医学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0230452
DOI
10.1063/5.0230452 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Beibei Lv; Lixing Zhang; Jiongjiong Mo
出版日期：2024-10-07
求助人
ccc 在 2026-11-10 21:16:18 发布自福建，悬赏 10 积分
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  • 1天前

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  • 1天前

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