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标题
Self-aligned blocking integration demonstration for critical sub-30-nm pitch Mx level patterning with EUV self-aligned double patterning
相关领域
极紫外光刻 阻塞（统计） 多重图案 材料科学 纳米技术 光电子学 抵抗 计算机科学 计算机网络 图层（电子）
网址
http://dx.doi.org/10.1117/1.jmm.18.1.011002
DOI
10.1117/1.jmm.18.1.011002 doi
其它 期刊：Journal of Micro/Nanopatterning, Materials, and Metrology
作者：Angélique Raley; Joe Lee; Jeffrey T. Smith; Xinghua Sun; Richard A. Farrell; et al
出版日期：2018-07-31
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滴滴答答 在 2026-10-18 11:44:37 发布自北京，悬赏 20 积分
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