Reduction in edge dislocation density in corundum-structured α-Ga2O3 layers on sapphire substrates with quasi-graded α-(Al,Ga)2O3 buffer layers

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标题	Reduction in edge dislocation density in corundum-structured α-Ga2O3 layers on sapphire substrates with quasi-graded α-(Al,Ga)2O3 buffer layers
网址	https://doi.org/10.7567/apex.9.071101
DOI	10.7567/apex.9.071101 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Riena Jinno; Takayuki Uchida; Kentaro Kaneko; Shizυo Fujita 出版日期：2016-06-01
求助人	zht 在 2026-10-22 14:45:16 发布自福建，悬赏 10 积分
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