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 Doping Engineering for Optimized Self‐Rectifying TaOx Memristor for Crossbar Array Neuromorphic applications 用于交叉阵列神经形态应用的优化自整流TaOx忆阻器的掺杂工程
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
横杆开关
材料科学
兴奋剂
光电子学
纳米技术
人工神经网络
电子工程
计算机科学
工程类
人工智能
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Dong‐Eun Kim; Akendra Singh Chabungbam; Geonwoo Kim; Jeonghyeon Son; B. Lim; et al 出版日期：2025-05-24 |
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