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 Rational design of oxide heterostructure InGaZnO/TiO2 for high-performance thin-film transistors 用于高性能薄膜晶体管的氧化物异相结构LGA ZnO2的合理设计
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
钝化
阈值电压
异质结
氧化物
场效应
图层（电子）
晶体管
基质（水族馆）
电介质
纳米技术
电压
电气工程
地质学
工程类
冶金
海洋学
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期刊：Applied Surface Science 作者：Ablat Abliz; Patigul Nurmamat; Da Wan 出版日期：2022-10-17 |
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