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 Analysis of the novel Si/SiC heterojunction IGBT characteristics by TCAD simulation TCAD模拟分析新型Si/SiC异结IGBTs特性
相关领域
绝缘栅双极晶体管
材料科学
光电子学
异质结
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宽禁带半导体
半导体
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期刊：Superlattices and Microstructures 作者：Licheng Sun; Baoxing Duan; Xin Yang; Yandong Wang; Yintang Yang 出版日期：2018-06-19 |
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