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标题
[高分] Modeling electrostatic potential in FDSOI MOSFETS: An approach based on homotopy perturbations
基于同伦扰动的FDSOI MOSFET静电势建模方法
相关领域
同伦摄动方法 MOSFET 绝缘体上的硅 泊松方程 晶体管 边值问题 场效应晶体管 物理 计算物理学 材料科学 硅 数学分析 数学 光电子学 电压 量子力学 非线性系统
网址
https://www.degruyter.com/document/doi/10.1515/phys-2022-001...
AI链接 degruyter.com degruyter.com doaj.orgdoi.org
DOI
10.1515/phys-2022-0012 doi
其它 期刊：Open Physics
作者：Tijana Kevkić; Vojkan Nikolić; Vladica Stojanović; Dragana Milosavljević; Slavica Jovanović
出版日期：2022-01-01
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腊梅 在 2025-08-29 20:17:21 发布，悬赏 50 积分
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