| 标题 |
 Heavy-ion beam test of a monolithic silicon pixel sensor with a new 130 nm High-Resistivity CMOS process 采用新型130 nm高阻CMOS工艺的单片硅像素传感器的重离子束测试
相关领域
像素
材料科学
CMOS芯片
光电子学
跟踪（教育）
硅
CMOS传感器
噪音（视频）
离子束
点间距
梁（结构）
电气工程
光学
物理
计算机科学
工程类
人工智能
心理学
图像（数学）
教育学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment 作者：Haibo Yang; Fa-Tai Mai; Jianwei Liao; Honglin Zhang; Xiaomeng Ma; et al 出版日期：2022-06-26 |
| 求助人 |
Ada
在
2025-08-30 07:12:38 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
GingerF
MchemG
XiaoLiu
Virtual
null
小白
HJJHJH
YifanWang
pearson
七月流火
nenoaowu
Yini
荟萃分析
8R60d8
polaris
ly152837
害怕的笑槐
奋斗的绝悟
Rita
嘻哈hang
皖公网安备34019202002308
