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 TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 65nm NMOSFETs中的TID响应和辐射增强热载流子退化：对布局依赖效应的关注
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Zhexuan Ren; Xia An; Gensong Li; Jingyi Liu; Mingzhu Xun; et al 出版日期：2021-03-02 |
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