| 标题 |
 Impact Ionization Coefficients of Electrons and Holes in 4H-SiC 4H-SiC中电子和空穴的碰撞电离系数
相关领域
撞击电离
电场
漂移速度
电离
蒙特卡罗方法
电子
电子迁移率
散射
宽禁带半导体
计算物理学
材料科学
载流子散射
原子物理学
热传导
半导体
物理
光电子学
光学
离子
核物理学
统计
数学
复合材料
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nucleation and Atmospheric Aerosols 作者：C. C. Sun; A. H. You; Eng Kiong Wong 出版日期：2011-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
yar
GingerF
FIN
Rondab
哈基米德
过氧化氢
aldehyde
风清扬
bxxxxx
eric888
比比谁的速度快
Sandy
古藤
MET1
Alice
yx_cheng
nanaki
白河
我的文献呢
鬼见愁
皖公网安备34019202002308
