| 标题 |
Time-dependent dielectric breakdown of SiC-CMOS technology for harsh environments 恶劣环境下SiC-CMOS技术的时变介电击穿
相关领域
PMOS逻辑
NMOS逻辑
材料科学
碳化硅
电介质
介电强度
CMOS芯片
MOSFET
光电子学
电气工程
加速度
电压
复合材料
晶体管
物理
工程类
经典力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)